日本发现，中国正在绕过硅时代，押注下一代半导体。
在2026年的国际功率半导体大会ISPSD上，中国研究团队在氮化镓、氧化镓等新材料领域的存在感明显增强。

其中最引人关注的是氧化镓。

大会数据显示，关于氧化镓功率半导体的5项口头发表，全部来自中国研究团队，或者中国参与的国际合作团队。

这意味着，在被认为可能挑战碳化硅的新一代材料领域，中国已经成为全球最活跃的研究力量之一。

为什么氧化镓受到关注？

因为传统硅功率半导体正在接近性能极限，未来新能源汽车800伏高压平台、AI数据中心、电网升级，都需要更高耐压、更低损耗的功率器件。

目前主流方向包括碳化硅、氮化镓，而氧化镓被认为具有更大的性能潜力。

除了氧化镓，氮化镓领域同样出现变化。

日本专家指出，近年来ISPSD会议上关于氮化镓的主要报告，大量来自中国企业。

这背后，是中国庞大的应用市场正在推动产业发展，新能源汽车、电力设备、储能系统和工业机器人，都需要大量功率半导体。

不过，在高耐压硅功率半导体领域，日本企业依然拥有强大实力，三菱电机、东芝等企业凭借多年工业积累，在高可靠性器件和工业应用市场保持领先。

真正的竞争，不是中国已经全面超过日本，而是双方正在进入不同赛道。

日本守住的是过去几十年建立的硅功率半导体优势，中国押注的，则是碳化硅、氮化镓、氧化镓这些下一代材料。

从光伏到新能源汽车，再到功率半导体，中国正在进入越来越多过去由日本、欧美企业主导的产业领域。

真正的挑战不是制造更多产品，而是在下一轮技术变革中，能否成为规则制定者。