中芯国际通过DUV光刻机结合芯片堆叠方案（N+3与N+2芯片垂直键合），成功为华

2026-05-20 15:37:24 海岳科技科技

中芯国际通过DUV光刻机结合芯片堆叠方案（N+3与N+2芯片垂直键合），成功为华为Mate 90芯片实现等效3nm性能，大幅缩小与台积电的制程差距至两年内。该技术突破依赖混合键合（Hybrid Bonding）工艺，绕过了EUV光刻机限制，目前处于小批量试产阶段，性能测试超预期。

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评论列表

意境 7

2026-05-21 17:19

已经证伪了

玉你有缘 回复 05-21 22:14
你高兴？

用户93xxx25 回复 05-21 22:59
你证的么？

脑细胞 4

2026-05-21 16:31

很好了。

用户96xxx89 4

2026-05-21 18:47

使用美国高通的安卓系统芯片技术厂商今天晚上睡不好觉了。

用户48xxx26 4

2026-05-21 22:13

好的。下次换手机就它了

已入中年 3

2026-05-21 20:11

更证明了我们支持国产的重要性，不是天天把高通当爹

知了 2

2026-05-21 22:07

良品率肯定不会高

用户18xxx17 1

2026-05-21 18:58

积热吗？

水猪 1

2026-05-21 08:42

关键问题是，现在连duv光刻机也不卖给中芯国际了

春枫红叶 回复 05-21 19:42
上微的国产浸润式DUV机SSA800已批量生产进入中芯产线了

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