一、核心特性

正向特性（VF-IF曲线）：正向压降（VF）：这是功耗和效率的直接决定因素。在小信号电路中，VF的影响微乎其微；但在功率路径（如整流、续流）中，VF上的损耗（P_loss = VF * IF_avg）可能成为系统的主要热源。肖特基二极管具有较低的VF（0.2-0.5V），是低压大电流应用的优选，但其反向漏电较大。

动态电阻：VF并非恒定，其随IF变化的斜率即为动态电阻。在高精度模拟电路或小电流检测中，此参数至关重要。

反向特性：反向击穿电压（VR, VBR）：设计时必须保证二极管承受的最大反向峰值电压（VRRM, VRSM）留有充足裕量（通常为工作电压的1.5-2倍以上），以应对浪涌和振铃。

反向漏电流（IR）：高温下IR会呈指数级增长。在高压应用或对功耗极其敏感的设计（如电池供电设备）中，低IR的二极管（如PIN二极管、特定高压肖特基）是必须的。

动态开关特性：反向恢复时间（trr）与反向恢复电荷（Qrr）：这是二极管最关键的动态参数。当二极管从正向导通突变为反向偏压时，存储的少数载流子需要时间被“清扫”，形成瞬间的大反向电流尖峰。

结电容（Cj）：影响二极管的高频特性。在射频开关、高频检波电路中，低结电容是关键；但在某些软恢复设计中，适当的电容有助于减缓di/dt，降低EMI。

二、功率二极管选型

在开关电源（SMPS）等功率应用中，二极管（续流二极管、整流二极管、钳位二极管）的设计是系统成败的关键。

Buck电路续流二极管：承受与输入电压相当的反压，开关频率高。首选快恢复二极管（FRD）或肖特基二极管（SBD）。重点评估trr/Qrr与VF的折衷，以及高温下的反向漏电。

Boost/PFC二极管：承受输出电压反压，电流不连续，开关应力大。必须使用超快恢复二极管（UFRD）或碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）。SiC二极管因其近乎零的反向恢复特性，在此类拓扑中能极大提升效率和频率。

反激/反激式整流二极管：承受反射电压与输入电压之和，且存在漏感尖峰。需选择高VR、快恢复的二极管，并配合RCD或TVS钳位电路。

三、寄生参数与布局的致命影响

在高频或大电流场景下，二极管的寄生参数和PCB布局直接决定性能。寄生电感（Ls）：由引脚和走线引入。在二极管关断瞬间，Ls与反向恢复电流共同作用，会产生巨大的电压尖峰（Vspike = Ls * di/dt），可能超过二极管VRRM导致失效。对策：使用表面贴装（SMD）封装，缩短与大电容的回路，必要时串联小磁珠。

布局要点：功率环路最小化：续流环路（如Buck中上管、电感、续流二极管构成的环路）面积必须极小，以降低辐射EMI和寄生电感。散热路径优化：确保PCB有足够的铜箔面积（散热焊盘）或连接散热器， thermal via（导热过孔）的正确使用能显著降低热阻。敏感信号隔离：检波、逻辑隔离等电路中的小信号二极管，需远离高频、大电流的功率路径，防止耦合干扰。