美光将HBM产能翻倍,缩小与三星和SK海力士的差距 美国存储芯片制造商美光计划将其高带宽存储器(HBM)产能从去年翻倍。通过年底积极的资本支出,该公司旨在加强其12层HBM4(HBM的最新一代)的供应能力。此举旨在通过扩大HBM产能来提升其市场份额,目前其产能落后于三星电子和SK海力士。 根据9月3日行
美光将HBM产能翻倍,缩小与三星和SK海力士的差距
美国存储芯片制造商美光计划将其高带宽存储器(HBM)产能从去年翻倍。通过年底积极的资本支出,该公司旨在加强其12层HBM4(HBM的最新一代)的供应能力。此举旨在通过扩大HBM产能来提升其市场份额,目前其产能落后于三星电子和SK海力士。
根据9月3日行