美光将HBM产能翻倍，缩小与三星和SK海力士的差距

美国存储芯片制造商美光计划将其高带宽存储器（HBM）产能从去年翻倍。通过年底积极的资本支出，该公司旨在加强其12层HBM4（HBM的最新一代）的供应能力。此举旨在通过扩大HBM产能来提升其市场份额，目前其产能落后于三星电子和SK海力士。

根据9月3日行业消息人士透露，美光计划在今年年底前新增每月高达6万片晶圆的HBM产能。净增量将超过该公司去年每月约4万至5万片的HBM产量水平。

“美光正在对设备进行大量投资，以快速提升其HBM4产能，”一位熟悉此事的人士表示。“到今年年底，其HBM产能将达到每月约10万片晶圆。”

为实现这一扩张，美光正在向多家HBM设备供应商增加采购订单（PO）。据了解，设备交付正在其位于台湾和新加坡的HBM制造基地进行。

12层HBM4在美光生产组合中的占比预计将大幅上升。目前，12层HBM3E占其HBM产量的绝大部分。今年年初，12层HBM4仅占总量的20-30%，但据报道，到年底这一占比将达到50%。

12层HBM4将被用于NVIDIA（全球最大的AI芯片公司）最新的AI加速器Vera Rubin。美光已于今年第二季度开始量产其12层HBM4产品。

在美光2026财年第三季度财报电话会议上，首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“我们正在以大约是12层HBM3E两倍的速度提升12层HBM4产量，”并补充称“HBM4出货的累计收入已超过10亿美元。”

尽管美光是全球三大HBM制造商之一，但其产能仍落后于三星电子和SK海力士。行业估计显示，每家韩国公司的HBM产能约为每月15万至20万片晶圆——是美光水平的3至4倍。除非美光赶上它们的产能，否则它将难以摆脱常年第三名的地位。

如果美光实现今年的产能目标，其与三星电子和SK海力士的生产差距将大致缩小一半。

美光HBM产能扩张也凸显了AI存储器需求的强劲。供应持续短缺，而以NVIDIA为首的AI芯片制造商寻求大量HBM。在这种环境下，最大化HBM收益需要供应更多产品——换言之，即足够的产能。

美光正在全球投资HBM制造设施。除了在美国投资外，该公司在台湾铜锣工厂和新加坡Woodlands工厂进行HBM封装，并在日本广岛准备设备投资。

根据Counterpoint Research的数据，SK海力士在今年第二季度以50%的份额领先全球HBM市场，其次是三星电子32%，美光18%。

$MU