调研解读|AI芯片功耗迈向两千瓦级，金刚石产业化从验证走向小批量AI芯片功耗迈向两千瓦级，金刚石产业化从验证走向小批量AI芯片功耗迈向两千瓦级近端散热材料升级需求加速。 H100单芯片TDP约700W、GB300约1400W，计划于2026年推出的Vera Rubin（VR200）约2300W，VR300进一步升至3600W，高功率密度持续推高散热方案要求。室温下CVD单晶金刚石热导率可达2200W/(m·K)，是铜401W/(m·K)的5倍以上，热膨胀系数约1.1ppm/K、与硅2.6ppm/K更接近；当前金刚石热沉片、金刚石/金属复合材料两条路线商业化落地相对更快。金刚石材料产业化由“送样验证”向“小批量供货+系统级规模应用”推进。 四方达在投资者关系活动记录中披露，公司CVD金刚石散热片热导率在2000W/(m·K)以上，已通过海外客户测试并进入小批量供货阶段，同时推进沙雅年产2.5万片CVD金刚石生产线；国机精工披露，金刚石铜复合材料热导率约800W/(m·K)，金刚石散热片和光学窗口片已有小批量订单，民用领域产品已送样。系统端，郑州国家超算互联网核心节点已规模化应用金刚石铜复合材料，公开报道显示芯片模组传热能力提升80%、性能提升10%、温度下降5℃。金刚石散热正由研发测试期逐步切换至商业化初期。相关公司：黄河旋风、国机精工、惠丰钻石、四方达、沃尔德、力量钻石光博会产业进展更新

1️⃣光模块领域金刚石：从光tim厂商了解到，zjxc已经开始尝试在1.6t tim加入金刚石微粉模式。

2️⃣华为、海光、hwj：推进金刚石微粉+铜复合冷板方案、纯单、多晶金刚石片方案都在推进。

3️⃣台积电：金刚石和芯片封装在一起。从展台了解到，目前优先方案集中在1）在晶圆和芯片热流密度最集中的地方放置小尺寸单晶片（好加工、翘曲比大尺寸cvd片可控），再做键合；2）多晶薄膜/4寸cvd方案 。纯的金刚石方案上线时间预期28年。

继续看好，持续关注：四方达（间接对接nv等）、沃尔德（对接国内超节点及海外fab厂）、国机（hw等客户）、宏昌科技（昆吾对接国内头部芯片、海外fab厂做单晶方案）、黄河旋风（头部芯片厂有几千w单子、和海外fab、芯片公司在送测）