前沿导读

据观察者网指出，韩国三星和SK海力士正在升级在华工厂，计划制造更先进的存储芯片。自2022年美国实施先进设备的对华管制以来，韩国企业的在华合资工厂也不被允许获得来自于美国企业的先进设备，这给了中国芯片企业一个很好的追赶机会。

实施限制

韩国存储芯片企业的在华合资工厂有三处，分别是三星在西安建设的合资工厂、SK海力士在无锡建设的合资工厂以及SK海力士多年前收购的英特尔大连工厂。

三星西安工厂主要生产3D NAND闪存芯片、SK海力士无锡工厂主要生产DRAM内存芯片、被收购的大连工厂此前是英特尔的闪存制造基地，如今成为了SK海力士子品牌Solidigm的闪存工厂。

受限于出口管制因素，三星西安工厂的生产线技术还停留在200层NAND闪存芯片，但是却占据了三星总闪存产能的40%，是三星唯一的大型海外生产基地。

而SK海力士大连工厂的生产线技术跟三星西安工厂差不多，最高是192层NAND闪存芯片。

闪存芯片的堆叠层数越高，其单位芯片的存储密度也就越大，生产成本也会降低。追求更高的堆叠层数、更高的堆叠密度、更高的制造效率、更低的生产成本，这是整个NAND闪存产业的共同目标。

虽然200层左右的闪存芯片也可以满足大部分产品的需求，但是对于服务器、移动终端等ai产业相关的设备，200层已经完全不能满足产业技术升级的要求，整个产业都在往300层及更高堆叠层数的技术节点发展。

三星韩国总部已经可以量产286层的闪存芯片，并且启动了400层闪存芯片的技术研发工作，而SK海力士在售的闪存芯片产品也已经达到了321层。

对比最先进的技术产品，韩国企业在华合资工厂依然停留在多年前的200层上面，存在明显的技术落后。

而更为关键的是，中国本土闪存企业长江存储的发展势头非常强劲，在232层阶段受到美国的制裁，随后联合国产供应链体系成功突破制裁，实现了232层闪存芯片的量产商用，并且开始少量供应294层（2YY）闪存芯片，还在推进300层以上的技术研发工作。

西方实施的出口管制政策，按理说针对的是中国本土企业，但如今不但没能压制住中国企业的技术发展，反而还影响了韩国存储芯片的产能建设。

美国实施的对华出口管制，要求任何含有美国技术的半导体制造设备，如果要出口到中国大陆地区用于生产先进的半导体芯片，都需要获得许可证。

这也就意味着，即便三星和SK海力士是韩国企业，只要它们在中国工厂想引入美国设备来制造最新水平的技术产品，就必须向美国部门提出申请。

如今的禁令只是允许韩国企业继续运营在华工厂，但是不允许采购先进设备来进行技术升级或产能扩产。

换句话说，三星西安工厂和SK海力士大连工厂要想从如今的200层和192层升级到更加先进的水平，不仅要证明自己没有进行扩产，还要说服对方这是一次“合规的现代化改造”。

韩国存储企业在华发展所面临的困难很大，一边受到出口管制影响无法获得先进设备提升技术，另一边还要面对中国品牌的规模压力，这并不是韩国企业愿意接受的局面，但它们别无选择。

大部分先进半导体设备仍然掌握在美国及其盟友手中，除非自行研制，否则无法摆脱出口管制的限制。

中国存储芯片和韩国存储芯片的在华发展都受到限制，但是中国企业可以依靠国产供应链体系降低制裁带来的影响，这是韩国企业在华工厂无法比拟的优势。

长江存储研发副总经理冯耀斌在2026年无锡半导体展会上表示，在长江存储遭到美国的制裁之后，便开始进行国产制造设备的生产线建设。

从2022年开始，长江存储联合北方华创、中微半导体、上海微电子、拓荆科技等知名国产设备供应商进行生产线的技术验证。依托长江存储自主研发的Xtacking晶栈架构，从架构设计到制造生产全部以国产设备为核心，持续深化国产技术合作。

西方对于长江存储的制裁就是禁止其采购海外的先进设备来制造128层及以上闪存芯片，通过限制设备出口来阻碍长江存储的技术升级和产能扩充。

据第三方市场调查公司Counterpoint Research发布的报告显示，以出货量计算，长江存储已经成为2026年第二季度全球NAND闪存市场第三大供应商，市场份额为17%，仅次于三星和SK海力士。

据全球咨询机构Omdia数据显示，在2026年第二季度中国NAND市场中，长江存储以38.5%的市场份额成为了中国最大的闪存芯片供应商，并且对比去年同期的28%提升幅度明显。而三星在中国闪存芯片的市场份额从36%下降至33.5%，SK海力士的中国市场份额从20%下降至17%

长江存储可以在中国闪存市场反超韩国企业，一方面是得益于其自主研发的Xtacking晶栈架构，另一方面就是得益于国产供应链的强强联合。

在两片独立的晶圆上分别制造存储阵列和外围逻辑电路，随后将两者通过混合键合技术对接在一起，使每一层都能采用最适合各自需求的制造工艺进行制造。

华为的逻辑折叠芯片就采用了与Xtacking架构类似的制造思路，将计算单元和缓存单元的电路结构分两片晶圆制造，并且两片晶圆的制造工艺也不相同，最后通过混合键合技术组合在一起。

据长江存储研发副总经理冯耀斌在大会上披露，韩国三星、SK海力士、美国美光、日本铠侠这些国际闪存芯片巨头，在最新的闪存芯片研发上都转向了Xtacking架构技术。

2025年，三星与长江存储达成专利授权许可，三星将采用长江存储的混合键合专利来制造下一代闪存芯片，这是韩国芯片巨头第一次主动采用中国技术专利来开发存储芯片技术。

在架构设计上，长江存储已经处于领先地位。在市场规模上，长江存储已经在国内市场上领先韩国企业，在全球市场上仅次于韩国企业。

这是中国企业在被西方实施出口管制的情况下取得的技术成果，而西方对韩国企业在华工厂的设备限制，也在一定程度上为中国自主品牌的发展创造了有利条件。