10 月 15 日，马斯克在 X 平台转发韩国财经专栏文章并评论：China will be making a LOT of RAM in 2028（中国将在 2028 年生产大量内存 RAM）。 原文韩媒专栏预警：随着新增产能落地，2029 年全球内存或将出现产能过剩，高度依赖三星、SK 海力士的韩国经济红利窗口仅剩 2~3 年。马斯克直接把产能释放时间点前置到 2028 年，放大市场恐慌。
此前马斯克还公开表态：美光内存定价合理，批评韩国存储厂商报价过高，他本身是 AI 算力大客户（特斯拉、xAI、SpaceX），言论权重被市场高度重视。
市场反应消息发酵后，韩国存储龙头大幅杀跌：SK 海力士大跌超 11%，三星电子跌近 9.5%，拖累韩国 KOSPI、KOSDAQ 市场，触发韩国交易所 SIDECAR（程序化交易熔断）机制，暂停程序化买卖订单，也就是大家俗称的 “韩股熔断”，存储板块市值大幅蒸发；美股美光同步跟随大跌，全球存储芯片板块集体承压。
注：SIDECAR 并非传统全面停盘熔断，是韩国股市专门针对程序化交易的冷静机制，大量程序化卖单触发后，临时限制算法下单，防止崩盘式踩踏。
核心背景：长鑫存储 DRAM 产能预期市场恐慌核心指向长鑫存储（CXMT）DRAM 进展：
机构预测：长鑫 DRAM 月产能规划预计 2028 年有望达到 50~60 万片晶圆，接近当前 SK 海力士产能规模；技术层面：长鑫近期 4F² 架构 DDR5 服务器内存取得突破，推进商业化落地；关键差异：普通 DRAM（电脑 / 服务器内存）追赶提速，但 AI 核心 HBM 高带宽内存，国内仍处于攻关阶段，两者技术壁垒差距很大。多方观点✅ 市场悲观逻辑：AI 拉动下当前存储处于高景气周期，一旦 2028-2029 国产 DRAM 大规模投产，供需反转，内存价格下行，直接冲击三星、SK 海力士的高利润，韩国半导体支柱业务承压。
⚠️ 理性提醒：不少分析师认为市场反应过度。
产能规划≠实际量产，大规模稳定良率、稳定供货还需要持续验证；HBM 才是 AI 算力芯片配套的高毛利核心，国产 HBM 距离大规模商用仍有很长距离；全球存储行业本身具有强周期性，扩产、需求变化都会带来价格波动，单一言论容易放大短期情绪。