一共有27名深耕DRAM的资深韩系工程师，从三星、SK海力士跳槽到合肥长鑫存储。其中23人来自三星，8人来自SK 海力士，有4人两家都任职过，这也是大家说的长鑫反挖三星人才的来源。这批工程师含金量很高，在韩国存储大厂平均干了15.4年，6个人拥有20年以上量产经验，覆盖电路设计、制程整合、良率分析、设备、先进封装，甚至还有HBM 高带宽内存方向的专家。很多人是绕开竞业协议，先去设备材料公司过渡一圈，再入职长鑫。