10月30日消息，长鑫科技在第三季度业绩交流会上披露，基于4F²垂直沟道DRAM架构的第六代工艺技术平台，已经完成工程样片验证。

这是长鑫首次公开确认，下一代工艺平台直接建立在4F²架构之上。

按照产业惯例，工程样片在真实晶圆上跑通核心指标，意味着设计值已经落到了硅片上，接下来在客户端完成验证，就可以进入规模量产。

要理解这件事的分量，得先搞懂6F²和4F²到底差在哪。

一颗DRAM的存储单元由一个晶体管和一个电容组成，行内习惯用最小特征尺寸F的平方来衡量每个单元占多大地方。目前全球DRAM主流的6F²架构，每个单元占6个F²，这套布局从2007年一直沿用至今。

4F²则把单元面积压到4个F²，大约只有6F²的三分之二。半导体研究机构SemiAnalysis指出，由于线和间距的最小周期就是2F，单元面积理论上不可能低于4F²，也就是说走到4F²，水平方向的微缩基本就到头了。
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