韩国🇰🇷 : “向中国装备制造商注入扩张资金”CXMT注资349亿元人民币扶持国内材料、零部件和装备公司

【首尔经济日报】报道 随着美国对中国先进半导体设备的出口管制越来越严格，中国最大的DRAM制造商长信存储科技（CXMT）最终敲定了一项价值349亿元人民币（约7万亿韩元）的天文数字投资计划，以扩大其下一代存储器产能，并决定从中国国内半导体设备制造商采购所需设备的大部分。

由于美国严格的监管限制，来自荷兰ASML的光刻设备以及来自美国应用材料公司（Applied Materials）和Lam Research的蚀刻和沉积设备的供应受到限制，因此，中国的战略是积极引进国内半导体设备生态系统，例如NAURA和AMEC，从而大幅提高国产化率。

特别是，在上海证券交易所科创板上市后成为中国大陆市值最高公司的CXMT，凭借其雄厚的资本，已建立起每月可生产50万片晶圆的晶圆生产体系。近期，CXMT正式宣布量产第五代平台，并率先在移动设备上采用LPDDR6内存，正逐步逼近由三星电子、SK海力士和美光科技主导的全球内存“三大巨头”格局。

据报道，长江半导体已通过向上海证券交易所提交文件，正式提交了一项大规模扩张计划，计划投资349亿元人民币，其中包括241亿元人民币用于新技术研发项目，以及108亿元人民币用于晶圆试验线二期建设。

这项投资计划清晰地展现了高科技DRAM产业典型的资本密集型特征，微加工工艺的进步需要天文数字般的资金投入。根据披露文件，高达224亿元人民币（约合4.5万亿韩元）的研发项目总预算241亿元人民币中，高达93%的资金被直接用于采购先进的半导体制造和测量设备。

值得注意的是，这笔大规模设备订单中相当一部分预计将优先采购中国国内设备供应商，而非外国跨国公司。一位要求匿名的CXMT供应链负责人表示，公司已设定了非常激进的内部设备国产化目标。虽然由于保密政策，无法透露国产设备的具体占比，但该负责人补充说，国产设备的采用率预计将达到历史新高。

近期，为应对美国持续的制裁，中国半导体晶圆厂纷纷制定了雄心勃勃的设备国产化目标。本月初在江苏省无锡市举行的半导体行业会议上，上海百特半导体有限公司董事长陈杰公开宣布，公司已设定目标，在其正在建设的新工厂中实现80%的设备国产化率。

尽管对于一些关键工艺设备，例如极紫外（EUV）光刻机，寻找西方替代产品仍然困难，但在包括清洗、蚀刻、薄膜沉积和化学机械抛光（CMP）在内的主要前端工艺阶段，国​​产设备的应用正在迅速扩展。

CXMT计划利用去年7月在科创板成功上市后募集的剩余资金进行这项大规模投资。CXMT上市首日股价较发行价飙升460%以上，迅速成为中国内地证券交易所市值最高的公司。目前，CXMT正在接受股东批准，拟将当时募集的180亿元人民币剩余资金重新配置为该新项目的核心资本。

摩根士丹利分析指出，随着CXMT产品线的推进和向微加工工艺的转型，蚀刻、沉积、清洗和化学机械抛光等复杂工艺的数量正在迅速增加，导致每片晶圆的设备投入强度显著上升。此外，CXMT希望通过此次扩张，降低对外包封装测试（OSAT）公司的依赖，实现检测和测试流程的内部化，从而稳定良率并防止技术泄露。

成立于2016年的CXMT凭借中央和地方政府的大量补贴，迅速发展成为中国最大的DRAM制造商。据摩根士丹利估计，到2025年底，CXMT的12英寸晶圆产能将达到每月18万片，而到2028年，在积极扩张的推动下，产能预计将增长近三倍，达到每月50万片。

DDR5和LPDDR6从传统内存走向大规模生产……威胁韩国半导体本土市场

全球存储器行业最担忧的是长城半导体（CXMT）的技术飞跃速度。在北京当局大力推进半导体自主研发的背景下，长城半导体的产品组合已完成从老旧的DDR4和LPDDR4X标准到最新DDR5和低功耗LPDDR5系列的全面升级。

尤其值得一提的是，本月初，长城半导体正式宣布其最新自主研发的LPDDR6 DRAM芯片已实现量产，并被应用于小米旗舰折叠屏手机“18 Fold”中，这一消息震惊了整个行业，也标志着全球首例。

此外，该公司在9月份宣布其自主研发的第五代DRAM制造平台——“G5”工艺（相当于10nm级第五代工艺）已全面量产，这表明其与主要竞争对手三星电子和SK海力士的技术差距正在迅速缩小，预计未来一到两年内即可实现。

半导体专家评估认为，尽管美国收紧了对先进存储设备的管控，但长城半导体（CXMT）正凭借其雄厚的资本实力和中国智能手机及数据中心市场的巨大需求，结合国内设备生态系统，构建起一座“独立生产堡垒”。中国存储器凭借其庞大的国内市场，在传统存储领域逐渐蚕食市场份额，如今又进军高端移动和服务器DRAM市场，全球存储半导体供应链的格局预计将发生翻天覆地的变化。