炸锅！349亿重金砸下！国产存储龙头长鑫科技放大招
​​国产DRAM彻底提速！9月28日晚，长鑫科技官宣超大手笔投资，一口气砸出349亿元，落地两大核心项目，直接补齐国产存储技术和产能短板，硬核拉满行业底气！
​​这次投资分为两大板块，其一为总投241亿元的技术研发项目，公司将动用130亿元超募资金攻坚核心技术，耗时30个月迭代工艺、升级产品。不追求短期回报，只为持续突破存储芯片技术，巩固自身技术壁垒。
​​其二是总投108亿元的晶圆后道测试基地二期项目，将划拨50亿元超募资金给到子公司建设，建设期37个月。该项目能完美解决测试产能不足的痛点，大幅降低生产成本，补齐产业链短板。
​​更关键的是，两大项目落地后，长鑫将彻底完善IDM全产业链模式，实现从芯片研发、制造到测试的全流程自主可控。依托七千余项海内外专利、超三成研发人才的硬核实力，长鑫持续加速技术迭代，打破海外技术桎梏，正式开启国产存储的超车时代。