长鑫第五代存储技术实现规模量产，11纳米先进制程展示实力

2026年9月20日，在世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代技术平台量产。单片晶圆裸片产出数量增加五成，这就给工厂流水线送来了充足的芯片原料。长鑫展出新一代存储芯片产品，国产高端存储芯片走向工厂批量生产。
在芯片制造工艺上，研发团队用四重曝光技术，把阵列有源区半间距缩小到了11.95纳米。工程团队做出高介电金属栅工艺，把核心功能区厚度缩减到6762纳米，减少了芯片电量损耗。45比1的高深宽比电容结构，使得微小电容存好了电荷。
新平台生产出的两款24GB大容量移动内存芯片，分别做成496Ball和245Ball封装规格，最高传输速率跑到10667Mbps。芯片工作功耗减少三成，可以拉长智能手机电池工作时间，给手机运行大模型软件做好了硬件铺垫。
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