带宽接近SRAM、容量超过HBM,还无需EUV光刻机——AI内存瓶颈出现了一条新路线。据IT之家9月14日消息,成立于2018年的芯片初创企业Kepler Computing于当地时间9月10日正式宣布亮相,目标是化解AI半导体的内存能耗与带宽、产能与成本瓶颈。该公司宣称,其方案采用3D堆叠集成技术,应属FeRAM(铁电存储器)路线,可提供带宽接近SRAM、容量优于SRAM乃至HBM的内存,且无需EUV光刻设备,计划2026年底出样、2027年扩大产能;更远期还打算以材料创新突破现有CMOS工艺的固有限制。宣称能否兑现,要等2026年底的样品说话。