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我国这家企业生产的超高纯材料的全元素杂质总量能够控制在1ppm以下,其中碱金属元素杂质低于0.01ppm,放射性元素杂质低于0.005ppm。 先进芯片内部甚至可能拥有数十层互连结构。为了保证最终器件性能和制造良率,对这些金属的纯度要求非常高。 杂质带来的问题并不只是稍微增加一点电阻,某些杂质可能改 ​

我国这家企业生产的超高纯材料的全元素杂质总量能够控制在1ppm以下,其中碱金属元素杂质低于0.01ppm,放射性元素杂质低于0.005ppm。

先进芯片内部甚至可能拥有数十层互连结构。为了保证最终器件性能和制造良率,对这些金属的纯度要求非常高。杂质带来的问题并不只是稍微增加一点电阻,某些杂质可能改变材料电阻率,一些元素可能影响晶粒结构,一些污染物可能增加薄膜缺陷,还有些杂质在长期通电、高温环境下会对器件可靠性产生影响。

这也是为什么普通电线里的高质量铜,与芯片制造需要的超高纯铜,看起来同样都是铜,价格、工艺和技术门槛却完全不是一个概念。

铜在现代集成电路中承担着重要的互连任务,晶体管负责计算,但数以亿计乃至数百亿计晶体管如果不能彼此连接,再强的晶体管也只是一个个孤岛。芯片内部因此需要布置一层又一层极其复杂的金属互连网络。