杨树，女，1990年6月出生，安徽合肥人，中共党员，中国科学技术大学微电子学院教授、博士生导师，挂职学院副院长 。 很少有人知道，这位站在国际半导体前沿的90后女科学家，16岁就考入复旦大学微电子专业，24岁拿下香港科技大学博士学位，26岁成为浙江大学“百人计划”研究员、博导，是当时国内高校最年轻的90后博导之一。同龄人还在为工作焦虑时，她已带着团队一头扎进氮化镓实验室，啃下了国外垄断多年的“硬骨头”。这不是一夜成名的神话，而是16岁到36岁，整整20年与半导体“死磕”的必然结果 。 第三代半导体氮化镓，是新能源汽车、5G通信、光伏逆变器的核心材料，长期被欧美日企业攥着技术专利，国内企业要么高价买授权，要么只能做低端产品。杨树偏不信这个邪，2016年刚到浙大就牵头组建团队，从材料生长到器件制备，再到封装测试，每个环节都亲力亲为。团队成员说，她办公室的灯经常亮到凌晨，连实验数据都要逐行核对，有次为解决一个参数偏差，连续一周泡在实验室，终于在2018年研制出1kV/1.1mΩ·cm²单极型垂直GaN器件，功率品质因数国际领先 。 更绝的是她对“电流崩塌”难题的突破。这是氮化镓器件的“绝症”，传统器件工作时会出现动态性能退化，严重影响可靠性，国外研究了十几年都没根治 。杨树带领团队另辟蹊径，放弃传统平面结构，首创垂直器件架构，2019年成功研制出国际首个无电流崩塌的新型垂直GaN器件，测试时在500V高压、150℃高温下连续工作1000小时性能丝毫不降，这一成果直接颠覆了行业认知，让中国在该领域实现从跟跑到领跑的跨越 。 现在科研圈有种浮躁风气，有人追热点、拼论文数量，把科研当成晋升跳板。杨树偏不这么干，她常跟学生说：“做科研要盯着国家需要，不能只盯着影响因子。”她2022年回到母校中科大，一边搞科研一边培养人才，挂职副院长后更是把“科研+育人”拧成一股绳，带着学生攻克1.4kV垂直GaN功率晶体管等新难题，2024年相关成果在国际电子器件会议（IEDM）上做口头报告，再次惊艳国际同行 。 她的故事藏着中国科技突围的密码：16岁考入复旦，不是为了“考名校”的光环，而是看到微电子产业被卡脖子的痛；24岁博士毕业放弃海外高薪，是认定“核心技术买不来”；26岁当博导不搞“学术霸权”，而是手把手带学生做实验；32岁获青橙奖拿百万奖金，全投入实验室建设 。作为中共党员，她把“科研报国”刻进每一次实验记录，用20年坚守告诉我们：硬核科技从来不是靠运气，而是靠“板凳甘坐十年冷”的定力。 很多人好奇她为何能在36岁就站上国际之巅。答案藏在她的时间表里：每天7点到实验室，晚上10点才离开，周末基本泡在数据里；为验证一个理论，能连续三个月反复测试上百次；学生论文改七八遍是常事，连标点符号都不放过。她的团队里，有刚毕业的硕士生，也有行业资深专家，没人觉得她年轻就质疑她，因为她的每一个决策都有数据支撑，每一个成果都经得住国际检验。 从合肥到上海，从香港到剑桥，再回到合肥，她的轨迹绕了一圈，却始终没离开半导体领域。有人说她是天才，她却笑着说：“我只是比别人多坚持了一会儿。”这话听着简单，却藏着最朴素的真理——在科技自立自强的路上，从来没有捷径，只有像杨树这样，把青春、热血甚至生命都献给实验室，才能让中国在全球科技竞争中挺直腰杆 。 各位读者你们怎么看？欢迎在评论区讨论。