IT之家3月19日消息，Micron美光在其FY2026Q2财报会议上表示，预计2027年量产的下一代HBM内存——HBM4E正在开发之中，其将基于1γ（1-gamma，即第6代10nm级）工艺的DRAMDie，相较HBM4实现制程升级。

而在DRAM工艺开发方面，美光确认将引入第7代10nm级工艺1δ(1-delta)。该节点的EUV光刻使用量将更高，为此美光计划为其导入最新一代的EUV光刻设备（IT之家注：这里应指HighNAEUV），以优化洁净室空间效率和图案化表现。

美光正从传统的LTA长期协议转向包含多年具体承诺的SCA战略客户协议，首份五年期SCA已经签署。这种模式为美光提供更好的业务可见性与稳定性，同时也给予客户更大的确定性，深化双方的长期合作。

美光预测全球整体的DRAM和NAND供应规模将在2026日历年增长20%左右，PC和智能手机的出货量可能会有一成出头的下滑。该企业提升了本财年的资本支出规模，以满足晶圆厂洁净室建设的需求。