【消息称 SK 海力士完成中国江苏无锡 DRAM 内存晶圆厂制程升级】 韩媒ETNews本月14日报道，SK海力士已完成中国江苏无锡DRAM内存晶圆厂的制程转换，主要工艺从1z nm（第三代10纳米级）升级至1a nm（第四代10纳米级）。无锡晶圆厂贡献SK海力士约1/3的DRAM产能，该厂当前每月18~19万片12英寸晶圆投片量中，九成为1a nm产品。因1a nm制程需要EUV光刻但相关设备存在进口限制，无锡所产1a nm产品需在韩国完成部分步骤。SK海力士官方对该报道不予置评。详情：网页链接