中国攻克半导体材料世界难题 中国攻克半导体材料世界难题，这消息太提气了！据科技日报，芯片制造中不同材料层间“岛状”连接结构阻碍热量传递，是性能提升的关键瓶颈。西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队创新技术，把“岛状”界面变成原子级平整“薄膜”。 他们首创“离子注入诱导成核”技术，让生长过程精准可控。新结构界面热阻仅为传统的三分之一，制备的器件输出功率密度大幅提升。这一成果不仅提升芯片散热和性能，还为半导体材料集成提供“中国范式”，打破国外技术垄断，给中国半导体产业注入强心剂！