科普一点DRAM的制程技术。DRAM采用的制程更接近逻辑芯片，不过相比数字逻辑芯片也有自己的制程名称。- 1x：17-19nm（三星 18nm、海力士 17.5nm、美光 17.5-19nm、长鑫 19nm）- 1y：14-16nm（三星 16nm、海力士 17nm、美光 16nm、长鑫 18nm）- 1z：11-14nm（三星 14nm、海力士 15nm、美光 14nm、长鑫 17nm）- 1α/1a：12-14nm（三星 13nm、海力士 13-14nm、美光 13-14nm、长鑫 15-16nm）- 1β/1b：10-12nm（三星 12nm、海力士 12nm、美光 12nm）- 1γ/1c：10-11nm（三星 11nm、海力士 10nm、美光 11nm）DRAM厂商没有直接标注纳米值，而是使用 1x/1y/1z/1α/1β/1γ 等代号，因为工艺复杂度增加，单一数值难以准确表征。从 1z/1α 节点三星和海力士开始引入EUV光刻技术，美光从 1γ 节点才首次应用，大幅提升工艺精度和良率；此外HKMG技术在 1a/1α 节点后广泛采用，显著降低漏电和功耗，提高性能。