宏微科技：机器人GaN器件+SST+核聚变 ⭕12月3-4日，宏微爱赛CTO崔崧将出席深圳市三代半行业大会，分享《氮化镓器件赋能人形机器人关节电机》，目前公司多款650V氮化镓功率器件已完成布局并通过可靠性测试，100V7毫欧已有多厂商送样，WLCSP和 TOLL两种封装形式均可供应。机器人全身GaN模组价值量8k左右，以2-3%行业市占率计算，给公司贡献市值30-50亿空间。 ⭕高压IGBT模块：1700V GWB系列模块采用第七代IGBT芯片与银烧结工艺，适配10kV-20kV级SST，已批量供货台达、伊顿等，用于AI数据中心高压直流供电系统，效率达98.3%。 第三代半导体布局：1200V/1700V SiC模块已通过国网验证，计划2026年产能达50万只/年，瞄准新能源电站SST应用；GaN器件同步开发，适配未来800V架构。 ⭕核聚变：公司与瀚海聚能合作开发FRC核聚变装置的主脉冲电源半导体开关，价值量占比30%。保守假设，单台价值量20亿*30%价值量占比*30净利率，对应约2亿净利润