国产DRAM龙头长鑫科技再传重磅进展，G5技术平台顺利量产，下一代G6平台完成工程样片验证，同时持续加码研发投入，以超110亿元资金攻坚先进存储工艺，持续缩小与国际头部厂商的技术差距，夯实国内内存供应链安全底座。
G5平台是长鑫现阶段主力量产节点，依托四重曝光工艺，将存储阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储电容深宽比达到45:1。相比上代，单片晶圆裸片产出提升50%，同步推出24Gb大容量LPDDR5X产品，面向手机、消费电子、服务器等市场，兼顾高密度、低功耗与成本优势，标志国产DRAM正式进入国际主流先进制程梯队。
紧随G5量产，G6平台工程验证顺利完成，意味着新一代工艺已经打通核心技术链路，进入客户验证与量产筹备阶段。DRAM行业工艺迭代难度极高，微缩、材料、器件架构每一步都存在大量工程难题，G5、G6接续推进，体现长鑫已经形成稳定、高效的技术迭代节奏。
百亿级研发资金，将重点投向先进工艺开发、新型存储架构、HBM、车用存储等前沿方向。长期以来，全球DRAM市场高度集中，国内终端、服务器、汽车芯片都高度依赖进口内存。持续大额研发投入，正是长鑫突破海外专利壁垒、丰富产品矩阵的底气。
从追赶工艺节点，到同步规划多代产品，长鑫的步伐正在加快。G5保障当下供货与商业化营收，G6打开未来两三年的增长空间。随着国产手机、服务器、算力产业链的协同，国产DRAM渗透率有望持续提升，为国内数字基础设施、AI算力产业提供自主可控的存储选择，打破海外厂商长期垄断格局。