1. 集邦咨询：Q4 DRAM 合约价预计环比上涨约 20%，涨幅超此前预期核心摘要： 据 TrendForce 最新数据，受供应端持续紧张及 AI 服务器需求强劲支撑，2026 年四季度 DRAM 合约价环比涨幅预估上修至约 20%。其中 PC 端 DRAM 增幅或达 13%–18%，服务器 DRAM 涨幅亦维持高位。NAND Flash 受 CSP 追加采购带动，企业级 SSD 成为涨幅扩大最明显的品类。
2. 英伟达要求三星、SK 海力士、美光统一采用台积电 3nm 工艺生产 NVHBM 基底裸片核心摘要： 英伟达正推动下一代定制 HBM（NVHBM）的基底裸片（Base Die）制造工艺统一采用台积电 3 纳米制程，以确保性能一致性。这标志着三星将首次在 HBM 制造阶段与台积电深度合作，HBM 供应链格局面临重塑，三大存储厂的竞争焦点将更多转向堆叠工艺与良率。
3. SK 海力士加速部署 iHBM 技术，新一代 HBM 散热能力提升 30%核心摘要： SK 海力士正推动新一代集成式高带宽存储器（iHBM）迈向量产阶段，已开始讨论具体量产计划。iHBM 通过集成式散热设计，将散热能力提升约 30%，有望突破当前 AI 算力提升的散热瓶颈，是 HBM4 及后续世代的关键技术方向之一。
4. 美光研发边缘推理存储器（EIM），面向物理 AI 应用场景核心摘要： 美光科技副总裁在首尔半导体会议上透露，公司正在研发专为物理 AI（自动驾驶、人形机器人、AR/VR）设计的边缘推理存储器（EIM），目标是高速处理 AI 推理数据，整合低功耗 DRAM 与存储架构能力。此举标志着存储厂商正从云端 AI 算力向边缘 AI 场景延伸。
5. 江波龙 Q3 业绩预告：DRAM/NAND 价格涨幅收窄，存储涨价边际贡献趋缓核心摘要： 江波龙三季报预告显示，2026 年 Q3 全球存储市场供需仍偏紧，但受前期高价格基数影响，DRAM 和 NAND Flash 价格涨幅较前期明显收窄，存储涨价对盈利的边际贡献显著趋缓。Q3 净利润环比出现下滑，反映行业景气度从 "全面上行" 进入 "增速换挡" 阶段。
6. 三大 PC 厂商签订存储器长期供货协议，2027 年涨幅预计收敛至 10%–20%核心摘要： 头部三大 PC 厂商已与存储原厂签订 2027 年存储器长期供货协议，锁定未来一年供给。协议预计 2027 年存储价格涨幅将收敛至 10%–20% 区间，供需关系趋于稳定。长约签订反映原厂与终端对 2027 年供需格局的共识正在形成。
7. SK 海力士发布 2026 年 Q3 财报电话会议邀请，市场关注 HBM 出货数据核心摘要： SK 海力士官方发布 2026 年第三季度财报电话会议邀请，即将公布最新季度业绩。市场重点关注其 HBM3E 出货量、HBM4 进展以及 Q4 产能规划数据，该财报将成为观察全球存储行业景气度的关键风向标。
8. 长鑫科技主力资金净买入 2.76 亿元，国产 DRAM 龙头获资本持续关注核心摘要： 10 月 21 日收盘，长鑫科技（688825）报 40.97 元，上涨 1.61%，主力资金净流入 2.76 亿元，成交额达 94.8 亿元。作为国产 DRAM 核心厂商，长鑫近期宣布在 4F² 架构取得突破，并计划年底推出融合混合键合技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。
整体趋势点评： 存储行业 Q4 价格涨势延续但边际放缓，AI 驱动的 HBM 赛道技术竞争加剧 —— 英伟达统一工艺标准重塑供应链，SK 海力士与美光分别在散热集成和边缘存储方向加码，行业正从 "全面涨价周期" 转向 "AI 结构性景气" 阶段，消费端与企业端分化持续扩大。