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Q4净利暴涨804.2%!南亚科技总经理:没有赴美建厂计划!

1月19日消息,DRAM大厂南亚科技公布了2025年第四季度和2025年自行结算合并财务报告。受益于去年下半年以来的AI

1月19日消息,DRAM大厂南亚科技公布了2025年第四季度和2025年自行结算合并财务报告。受益于去年下半年以来的AI驱动的DRAM芯片持续供不应求和涨价利好,南亚科技作为DRAM芯片厂商的业绩自然也实现了巨大的增长,不仅2025年四季度及全年营收实现了成倍增长,四季度净利润更是暴涨804.2%。

四季度净利暴涨804.2%

具体来说,南亚科技2025年四季度营收为新台币300.94亿元,环比大涨60.3%,同比暴涨357.7%;毛利润为新台币147.59亿元,环比暴涨326%,同比暴涨2225%;毛利率为49%,环比大幅增加了30.5个百分点;营业净利润为新台币117.81亿元,同比暴涨519%,环比暴涨952.6%;营业净利润率为39.1%,环比大幅增加33.1个百分点;税后净利润为新台币110 .83亿元,环比暴涨608.9%,同比暴涨804.2%;净利率36.8%,环比增加28.5个百分点;单季每股EPS 为新台币3.58元,而上季为亏损新台币0.51元。

南亚科技累计2025年的营收为新台币665.87亿元,同比大涨95.1%;营业毛利润为新台币149.84亿元,同比保障3662.8%;营业毛利率为22.5%,而上季毛利率为-1.2%;营业净利润为新台币52.43亿元,同比大涨149.7%;营业净利润率为7.9%,上年为-30.9%;税后净利为新台币66.03亿元,同比暴涨229.9%;税后净利润率为9.9%,上年为-14.9%;每股EPS 为新台币2.13元,2024年为-1.64元新台币。

南亚科技也指出,2025年第四季营收和净利润的环比暴涨,主要是得益于旗下DRAM产品平均售价环比增长超过30%,销售量也环比增长达低十位数百分比。由于DRAM产品涨价主要发生在2025年下半年,这也使得2025年全年的业绩增幅低于四季度。

此外,因为南亚科技重心押注在在DDR4,DDR5产品才推出不久,因此2025年第四季DDR5产品出货比重仅超过1%、DDR3占比约20%,DDR4及LPDDR4 DRAM占比超70%。受惠DDR价格大幅调升及产能满载,因此第四季毛利率提升35个百分点达49%。

DRAM供需缺口将持续存在,需避免重复下单

对于当前的DRAM市场现状,南亚科总经理李培瑛表示,现阶段DRAM市场供需明显吃紧,市场环境对DRAM供应商相对有利,下游客户则倾向签订较长期合约,甚至愿意锁定价格,这一趋势近期已相当明显。

李培瑛指出,2025年第四季南亚科技的DRAM产品平均单价增长了30%,第一季无论是长单或短单,整体涨幅仍在形成中,虽尚难给出明确比率,但整体判断为续涨、但斜率趋缓。

在具体产品方面,李培瑛表示,继DDR4及LPDDR4后,DDR5也跟着涨价,且涨幅不小。 由于产能配置与需求转移,DDR4与LPDDR4目前供应同样偏紧。

对于DRAM供不应求是否存在重复下单的问题,李培瑛坦言,公司不希望出货量变成少数客户的库存,却导致其他客户产线断线,因此会尽量避免重复下单造成资源错配。因此,南亚科技面对不同客户的需求,会依据长期合作关系与历史交易状况,采取差异化处理方式,审慎评估各客户的订单与供货安排。

从整个DRAM市场更为长期的趋势来看,李培瑛指出,由于AI 与一般服务器持续驱动2026年DRAM 需求增长,多种DRAM 产品(如DDR5、LPDDR5、DDR4、LPDDR4 及DDR3) 预期将持续缺货。特别是服务器领域对HBM与传统RDIMM 的需求将会显著增加。PC 与智能手机产品所搭载的DRAM容量会持续提升,其消费类电子终端产品应用对DRAM也将维持稳健需求。未来随着高带宽与高密度DRAM 将持续扩展至云端及边缘AI 应用,需求会进一步增长。

但是在供给方面,李培瑛预估2026年及2027年上半年的新增产能有限,所以依然会维持供不应求的局面,供应商需优化产品组合,以满足关键客户需求。

2026年资本支出将达新台币500亿元

在资本支出方面,南亚科技董事会原本通过的2025年资本支出预算上限新台币196亿元,不过实际支出只有新台币134亿元。所以,其中的新台币62亿元差额,将递延至2026年。基于此,南亚科技2026年资本支出预计约新台币500亿元,不过这还需等待董事会决议核准。

南亚科技目前也持续深化多元产品布局,128GB DDR5 RDIMM5600/6400 已通过功能性测试,Mono-die 速度达7200Mb/s,同时并持续优化DDR4 与LPDD4 的供应,以满足消费市场需求。在技术与产能规划上,10nm级第三代制程(1C)、第四代制程(1D)与定制化AI 项目皆如期进行。新厂则预计于2027年年初开始装机,以提供具竞争力的下一代内存解决方案。

没有赴美建厂计划

美国当地时间1月16日,在中国台湾与美国达成最新的贸易协议之后,美国商务部长霍华德·卢特尼克在总投资1000亿美元的美光纽约州巨型晶圆厂奠基仪式上警告称,存储芯片制造商如果不在美国投资,可能面临“100%半导体关税”。他表示,“任何想制造存储芯片的厂商(想要进入美国市场)都有两个选择:要么支付 100% 的关税,要么在美国建厂制造。”

对此,李培瑛则表示,目前还无法确定新的关税协议对中国台湾DRAM厂商有什么影响,对于中国台湾半导体产业的影响,适合由台积电回答。南亚科技目前也并没有在美国设厂的计划。 他进一补充说,目前南亚科技直接交易至美国市场的营收占比仍不高,但呈现增加趋势,未来会将相关政策与市场变化纳入整体评估,研拟合适的应对方式。

针对美国DRAM大厂美光(Micron)收购力积电铜锣厂,同时美光也将协助力积电提升利基型DRAM技术一事,李培瑛表示,因每代DRAM生产设备不同,美光和力积电需要时间采购设备及进行制程转移,预期今年及明年上半年对市场影响不大。

编辑:芯智讯-浪客剑