韩国财经媒体《每日经济》刊发专栏，发出行业预警：全球内存市场预计在2029年迎来大规模新增产能集中释放，存储芯片或将出现严重供应过剩，韩国依靠存储芯片获取高额利润的红利期仅剩2至3年。该观点一出，迅速引发全球半导体市场震动，马斯克也在社交平台转发相关报道并评论，进一步放大话题热度。
文章援引韩国专家分析，当前AI热潮拉动HBM、服务器内存需求，存储行业正处在景气上行周期，三星、SK海力士持续扩产。而全球多家厂商的新建产线将在2029年集中投产，大量供给涌入市场，把内存赛道推向红海竞争。一旦供需反转，存储芯片价格会大幅回落，结束当前的超级盈利周期。
存储产业是韩国经济的支柱，三星、SK海力士在全球DRAM市场占据绝对主导地位，半导体出口直接影响韩国GDP、股市与财政收入。专栏作者担忧，韩国经济过度依赖存储芯片，若2029年产能过剩到来，行业利润萎缩，韩国将承受巨大冲击，必须抓紧窗口期培育新的增长产业，降低对存储行业的单一依赖。
消息发酵后，马斯克在X平台留言，提出“2028年中国将大规模量产内存”，被市场解读为本次产能格局变化的关键变量。国内长鑫存储DRAM技术持续突破，产能稳步扩张，将成为全球内存市场新的供给力量。叠加美光等海外厂商扩产，全球内存供给格局正在重塑。
不过行业内部对此判断存在分歧。部分分析师认为，AI算力对HBM等高带宽内存需求持续高速增长，高端存储依然紧缺，2029年的过剩风险主要集中在普通通用DRAM，并非全品类存储。韩国财长也表态，半导体繁荣至少能延续至2027年，短期行业基本面仍然稳固。
存储行业本身具备极强周期性，历史上多次上演扩产、过剩、降价、减产循环。韩媒的预警，本质是提醒市场不能只看到当下AI带来的红利，要提前防范未来产能集中释放的风险。对于韩国两大存储巨头而言，未来既要加码高附加值HBM研发，也要应对全球新增产能带来的激烈市场竞争。