半导体加工向纳米级精度进阶中,刻蚀工艺的精度控制、材料兼容性等技术壁垒,长期制约国产设备升级。深圳市方瑞科技凭借10+项等离子刻蚀核心专利,依托专业研发团队攻关,在ICP刻蚀、SiC处理等关键领域实现突破,打破海外技术垄断,成为国产半导体设备替代的重要力量。

方瑞研发团队的竞争力源于“产学研协同+自主迭代”模式。10+项核心专利精准突破三大技术壁垒。针对SiC材料刻蚀难、损伤率高的问题,相关专利通过优化线圈结构与气体配比,将刻蚀损伤层厚度控制在5nm内,适配高端SiC器件制造。面对高深宽比加工难题,“等离子刻蚀与沉积一体化”技术可实现侧壁垂直度≥95%,满足MEMS器件与5G芯片精密加工需求。

针对传统设备均匀性差的通病,“多区温控等离子刻蚀腔室”专利优化腔室气流与磁场分布,刻蚀均匀性误差≤±3%,远超行业平均水平。宽幅处理、滚筒式真空刻蚀等关联专利形成技术矩阵,适配硅、二氧化硅等多类材料,覆盖半导体封装、功率器件制造等场景,破解“单材质适配”局限。

团队注重专利技术量产适配,经上万小时工况测试,实现核心组件自主研发,设备无故障运行≥8000小时,喷头寿命超5000小时,适配24小时连续生产。基于核心专利可快速定制工艺参数,兼顾技术精度与量产稳定性。

作为高新技术企业,方瑞10+项核心专利均经工业场景验证,多项填补国内中高端设备技术空白。在半导体设备国产化浪潮中,方瑞以专利为矛、技术为盾,持续突破刻蚀技术壁垒。未来将深耕纳米级刻蚀技术,丰富专利矩阵,为企业提供高精度、高稳定性的高性价比方案,助力国产半导体产业链自主可控。