IT之家10月22日消息，Micron（美光）当地时间昨日举行了2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD进行了展望，本篇聚焦于堆叠集成的泛HBM内存产品。

美光预计在标准HBM5面世的2028年还有两种新型3DS内存也将到来，分别是vHBM和vEIM。

vHBM可理解为3D集成版本的HBM，垂直堆叠DRAMDie、BaseDie和XPU逻辑主芯片，这能进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。vHBM也能与标准2.5DHBM共存。

而vEIM在结构上与vHBM类似，但其设计瞄准的是端侧AI推理场景，初代产品目标实现2TB/s带宽和＜1pj/bit的能效。

▲HBM先进封装

为实现vHBM和vEIM，美光计划应用无凸块的混合键合技术，导入集成散热解决方案。

▲HBM进化进程