长鑫存储搞了个技术突破，把韩国人的存储股给吓崩了。

10月9日到10日，长鑫存储总裁曹堪宇在上海一个芯片大会上宣布，公司在新一代4F² DRAM架构上取得关键进展，预计年底推出基于该架构的新一代DDR5 RDIMM服务器内存。

消息一出，韩国股市先炸了。10月13日，三星电子收跌7.39%，SK海力士收跌10.09%。美股那边，美光也跌了约3.9%。

马斯克都忍不住在X上评论了一句，当中国弄明白如何生产某种产品后，其扩大生产规模的能力往往超过世界其他国家的能力总和。

4F²到底是个啥，能把市场吓成这样？

简单说，DRAM存储单元的面积是用F²来衡量的。现在全行业主流是6F²，长鑫的4F²意味着每个存储单元面积缩小约33%，同样面积的晶圆理论上能多塞30%到50%的存储单元。翻译成人话就是，同样的成本，能造出更多内存。

不过，晨星分析师泼了盆冷水，技术突破不代表能立刻商业化量产。从产品展示到达到有经济效益的良率，可能还需要很长时间。

长鑫目前在全球DRAM市场排第四，二季度份额约9.5%，和三星、SK海力士、美光还有明显差距。而且这次锁定的是服务器通用内存，不涉及HBM，韩国厂商在HBM领域仍占主导。

所以这轮全球芯片股暴跌，本质上是获利了结叠加竞争信号的结果。今年存储芯片股涨太多了，交易拥挤、估值偏高，长鑫的技术进展成了一个借口，让投资者借机跑路。

但一个信号是明确的，中国存储芯片，正在从能做出来往能做得好方向走。